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本发明公开了一种太赫兹超材料吸收器、制备方法及基于太赫兹超材料吸收器的黄曲霉B2含量检测方法，太赫兹超材料吸收器的周期P为60μm，涂层金属为金，采用硅衬底；太赫兹超材料吸收器包括位于中间位置的大十字形结构和位于大十字形结构四周的若干个小十...
该专利属于华东交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过华东交通大学授权不得商用。

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