温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开提供一种GaN基CMOS反相器的制备方法，包括：在衬底上生长GaN通道层；在GaN通道层上生长势垒层；在势垒层上生长渐变帽层，形成半导体基材结构；在中间区域对半导体基材结构进行隔离，得到左侧区域和右侧区域；分别对左侧区域和右侧区域的渐...
该专利属于中国科学技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学技术大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。