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本发明提供一种隧穿结及制备方法、双结红外LED外延结构及制备方法，隧穿结由下至上依次包括第一掺杂层、渐变掺杂层和第二掺杂层，所述第一掺杂层和渐变掺杂层均掺杂有相同类型的掺杂剂，所述第一掺杂层和第二掺杂层掺杂有不同类型的掺杂剂，所述渐变掺杂层...
该专利属于厦门士兰明镓化合物半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门士兰明镓化合物半导体有限公司授权不得商用。

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