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本发明公开了一种预测质子单粒子效应截面的BGR方法改进及其应用，进行电子器件的重离子SEE实验，确定器件重离子SEE截面曲线函数；模拟质子与薄硅层核反应，统计p+Si核反应产物能谱，计算出BGR函数；根据改进的BGR方法，得到预测质子单粒子...
该专利属于中国原子能科学研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中国原子能科学研究院授权不得商用。

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