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本发明提供一种电离辐射总剂量测量芯片及校准方法，所述电离辐射总剂量测量芯片包括使用BiCMOS工艺制作在同一硅片上的，通过集成电路依次相连的驱动电流源、测温器件和辐射敏感场效应晶体管；其中，所述驱动电流源输出恒定电流I0，依次流经所述测温器...
该专利属于北京卫星环境工程研究所所有，仅供学习研究参考，未经过北京卫星环境工程研究所授权不得商用。

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