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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，属于半导体技术领域，该半导体器件包括基板、焊接层、银烧结层以及功率芯片。焊接层设置在基板上，焊接层包括由上至下设置的氰化浸金层、钯镀层以及镍层；银烧结层设置在焊接层上；功率芯片设置在银烧结层上。该半导...该专利属于国网湖北省电力有限公司电力科学研究院国家电网有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过国网湖北省电力有限公司电力科学研究院国家电网有限公司授权不得商用。