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本发明提供了一种半导体雪崩高压二极管的制造方法，包括：步骤1：获取雪崩高压二极管的初始制造流程，并获取初始制造流程中每个制造步骤的步骤制造标准以及标准允许误差范围；步骤2：获取对雪崩高压二极管的制造需求，将制造需求与每个制造步骤进行制造映射...
该专利属于鞍山中科恒泰电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过鞍山中科恒泰电子科技有限公司授权不得商用。

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