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本发明设计半导体激光技术领域，涉及一种基于金刚石膜的高性能VCSEL半导体激光器。目的在于解决VCSEL工作温度较低(600)、线宽较宽、光束质量较差的问题。主要方案包括至下而上依次设置的衬底(101)、散热层(102)、第一电极(103)...
该专利属于北京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京航空航天大学授权不得商用。

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