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本发明提供化学机械平面化(CMP)组合物，其提供用于抛光广泛的本体或先进节点铜或硅通孔(TSV)的高和可调的Cu去除速率及低Cu静态蚀刻速率。该CMP组合物还提供Cu膜相对于其它阻挡层如Ta、TaN、Ti、TiN和SiN；以及介电膜如TEO...
该专利属于弗萨姆材料美国有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过弗萨姆材料美国有限责任公司授权不得商用。

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