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本发明提供一种掺氧ＩＩ－ＶＩ族半导体材料、薄膜及其制备的太阳能电池。本发明首次提出并验证了通过对ＩＩ－ＶＩ族半导体材料，如ＺｎＴｅ、ＺｎＳｅ或ＺｎＴｅ１－ｘＳｅｘ（０＜ｘ＜１）进行掺氧，可以使其导带分裂为两个或更多能级，从而分别吸收不同的光...该专利属于朱忻;吴庄;王伟明;杨军;李斌所有，仅供学习研究参考，未经过朱忻;吴庄;王伟明;杨军;李斌授权不得商用。
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本发明提供一种掺氧ＩＩ－ＶＩ族半导体材料、薄膜及其制备的太阳能电池。本发明首次提出并验证了通过对ＩＩ－ＶＩ族半导体材料，如ＺｎＴｅ、ＺｎＳｅ或ＺｎＴｅ１－ｘＳｅｘ（０＜ｘ＜１）进行掺氧，可以使其导带分裂为两个或更多能级，从而分别吸收不同的光...