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本公开涉及医学、微电子及半导体工艺技术领域，公开了一种医用LED的制备方法，包括：对衬底进行外延制备InGaN/GaN多量子阱层；对InGaN/GaN多量子阱层进行激光退火，在InGaN/GaN多量子阱层形成InGaN量子点结构；对激光退火...
该专利属于中国人民解放军总医院第一医学中心所有，仅供学习研究参考，未经过中国人民解放军总医院第一医学中心授权不得商用。

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