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本发明涉及一种半导体激光器的封装结构及封装方法。其中，半导体激光器的封装结构包括散热底座以及激光芯片；所述及散热底座为一体式铜铝复合体，包括铝基座及铝基座内部嵌入的至少一个铜制热沉；所述铝基座是由熔融的铝材料互补填充于所述至少一个铜制热沉外...
该专利属于深圳市桓日激光有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市桓日激光有限公司授权不得商用。

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