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本申请涉及一种冷却集成的碳化硅模块及其制备方法、芯片的改造方法，冷却集成的碳化硅模块包括：DBC板，包括覆铜层，覆铜层包括层叠设置的密封层及歧管层，密封层开设有进液孔、出液孔、第一流体槽，歧管层包括歧管状的第二流体槽，第二流体槽与进液孔、出...
该专利属于浙江大学杭州国际科创中心所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学杭州国际科创中心授权不得商用。

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