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本实用新型涉及半导体技术领域，具体提供一种具有铁电薄膜和金属嵌入层的无掺杂隧穿晶体管，包括：源极、漏极、栅极、栅介质层、源区、漏区、沟道区、金属嵌入层和铁电薄膜层；在栅介质层中插入Pt金属嵌入层，使得在其下的体材料中形成一个P
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该专利属于兰州交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过兰州交通大学授权不得商用。

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