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本发明涉及太阳能领域中的一种生长硅锭的坩埚，特别是一种生长多晶硅锭的坩埚。一种生长多晶硅锭的坩埚，其中：坩埚的底板２上设置有多个孔３；孔３的深度为１ｍｍ－２５ｍｍ，孔３与坩埚的底板２平齐处的孔径为１ｍｍ－３０ｍｍ，孔３与坩埚的底板２分布的密...
该专利属于江西赛维LDK太阳能高科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西赛维LDK太阳能高科技有限公司授权不得商用。

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