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本发明涉及一种半导体器件(300)，其具有衬底(310)和基于砷化镓铝的半导体部件(320)，其中该衬底(310)是单晶的，且该衬底(310)包括具有经验式Ga
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该专利属于业纳光学系统有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过业纳光学系统有限公司授权不得商用。

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