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本申请公开了一种用于氮化镓(GaN)功率管的驱动电路以及驱动方法。本实施例中技术方案在低温下提供较低的栅源电压驱动氮化镓功率管，避免过高的栅源电压导致氮化镓功率管的栅绝缘失效率增大，在高温下提供较高的栅源电压驱动氮化镓功率管，以使得氮化镓功...
该专利属于西安矽力杰半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安矽力杰半导体技术有限公司授权不得商用。

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