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本发明提供一种具有载流子存储层的超结IGBT器件及其制造方法，包括提供N型衬底，在该N型衬底上依次生成场截止层、N型外延层；在N型外延层表面依次形成N型载流子存储层和P型体区，N型载流子存储层与N型衬底之间间隔有N型外延层；形成超结结构，超...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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