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本发明公开了一种电压控制的宽光谱锗硅探测器及其控制方法，所述锗硅探测器包括自下而上依次设有的半导体衬底、P型重掺杂硅层、I型非掺杂本征硅层、N型重掺杂硅层、非掺杂本征锗层、P型重掺杂锗层，所述P型重掺杂硅层上设有与P型重掺杂硅层相连的金属接...
该专利属于之江实验室所有，仅供学习研究参考，未经过之江实验室授权不得商用。

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