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本发明的一种势垒阻挡型的光电探测器及其制备方法，从下向上依次是衬底、二维半导体层以及金属电极对；所述衬底的材料为锑化铟；所述二维半导体层的材料为碲化钼和石墨烯；所述金属电极对包括第一金属电极和第二金属电极；所述第一金属电极和所述第二金属电极...
该专利属于国科大杭州高等研究院所有，仅供学习研究参考，未经过国科大杭州高等研究院授权不得商用。

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