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本发明优选在IGBT装置等半导体装置中提高特性。本发明提供半导体装置，其具备：半导体基板；栅极沟槽部；发射极；台面部；第一导电型的发射区，其设置在台面部的上表面，并与栅极沟槽部相接；第二导电型的接触区，其设置在台面部的上表面；第二导电型的基...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

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