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本申请涉及一种过渡金属硫族化合物晶圆及其制备方法和装置，属于二维材料技术领域。该制备方法，包括：S1.组装生长模块；S2.将组装好的生长模块进行垂直堆叠，得到组合生长模块；将组合生长模块置于容器中，在惰性气体保护氛围下，升温至预定温度，进行...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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