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本发明公开了一种近红外发光二极管及其制备方法，其中近红外发光二极管包括：从下而上依次设置的阳极、空穴传输层、三元近红外发光层、电子传输层和阴极；阳极采用透明导电玻璃基片；空穴传输层采用有机半导体材料；三元近红外发光层采用F8BT：PIDT<...
该专利属于陕西科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过陕西科技大学授权不得商用。

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