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本发明提供一种鳍式场效应晶体管中扩散中断结构的形成方法，在衬底上进行光刻工艺，形成单扩散中断结构的光刻图形；刻蚀衬底，形成刻蚀后的单扩散中断结构；进行外延生长工艺，在衬底表面、刻蚀后的单扩散中断结构表面形成外延层，从而形成外延后的单扩散中断...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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