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本发明涉及一种具有均匀碳化硅晶须的炭材料及其制备方法，是一种工艺简单、无需催化剂参与和低成本的碳纤维预制体内部均匀生长碳化硅纳米晶须制备方法，通过在纤维预制体或多孔材料预制体内部和表面形成成核位点，并采用固相硅源和碳源，无催化剂参与，在12...
该专利属于武汉科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉科技大学授权不得商用。

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