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本实用新型实施例提供一种外延结构及LED芯片，属于半导体发光器件领域。所述外延结构包括：依次层叠的GaAs衬底、GaAs缓冲层、新型N层、MQW层、新型P层以及GaP层，其中，所述新型N层和所述新型P层分别包括多组纵向交替生长的Al
该专利属于河北光兴半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河北光兴半导体技术有限公司授权不得商用。

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