温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种复合多量子阱有源层、高光效LED外延片及其制备方法，涉及半导体技术领域，复合多量子阱有源层包括复合有源区以及设于复合有源区上的末阱有源区，复合有源区包括多个有源区，有源区包括周期性依次层叠设置的量子阱层、帽层以及量子垒层；末阱...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。