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本发明提供一种基于中子辐照碳化硅吸收边带蓝移确定峰值温度及持续时长的方法，其包括以下步骤：S1、选择碳化硅晶体并对碳化硅晶体进行处理：对碳化硅晶体进行处理具体包括辐照、分割、退火及抛光处理；S2、确定碳化硅吸收边带；S3、确定退火温度与吸收...该专利属于天津城建大学北京长城航空测控技术研究所有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津城建大学北京长城航空测控技术研究所有限公司授权不得商用。