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本发明公开了一种基于AlGaN的多量子阱层及深紫外发光二极管。所述基于AlGaN的多量子阱层设置于p型电子阻挡层之下，最后一层量子势垒层在距离p型电子阻挡层还有10～12nm处开始阶梯渐变Al组分，从0.56依次阶梯递减至0.48，再依次阶...
该专利属于广东技术师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过广东技术师范大学授权不得商用。

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