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本发明公开了一种具有复合终端结构的氧化镓肖特基二极管及其制备方法，主要解决现有技术难以实现氧化镓p型掺杂、击穿电压低及工艺复杂的缺点。其自下而上包括欧姆金属层(1)、n
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该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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