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一种基于双硅层光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器制造技术
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下载一种基于双硅层光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器的技术资料
文档序号:38685644
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本发明公开了一种基于双硅层光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器,包括:上方硅薄膜、顶部导电电极、金属光栅、钛薄膜、硅基底、底部导电电极;所述钛薄膜、金属光栅、钛薄膜、上方硅薄膜依次设置于所述硅基底上;所述底部导电电极连接于硅基底下方;所述顶...
该专利属于苏州大学所有,仅供学习研究参考,未经过苏州大学授权不得商用。
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