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本发明公开了半导体器件及制作方法，包括：衬底，包括存储区与周边区；多个存储节点焊盘，设置在所述衬底上并位在所述存储区内；设置在所述存储节点焊盘上的电容结构，包括多个分别与所述存储节点焊盘接触的底电极；以及设置在所述存储节点焊盘上的支撑结构，...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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