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一种仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷及其制备方法和应用技术
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下载一种仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷及其制备方法和应用的技术资料
文档序号:38649147
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本发明公开了一种仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷及其制备方法和应用,属于压敏材料技术领域,采用分步烧结法,以ZnO为原料,掺杂氧化物烧结后得到氧化物掺杂ZnO陶瓷,在掺杂金属氧化物的ZnO陶瓷中间涂覆氧化物掺杂Bi2O3悬浮液涂...
该专利属于陕西科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过陕西科技大学授权不得商用。
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