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本发明公开了一种垂直结构ＺｎＯ基多量子阱发光二极管及其制备方法。该垂直结构ＺｎＯ基多量子阱发光二极管包括ＺｎＯ单晶衬底，在所述ＺｎＯ单晶衬底的一面上自下而上依次沉积有ｎ型ＺｎＯ过渡层、ｎ型Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ层、Ｚｎ↓［１－ｙ］Ｍ...
该专利属于杭州兰源光电材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州兰源光电材料有限公司授权不得商用。

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