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阻变存储器及其制造方法技术
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文档序号:38635200
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本公开涉及一种阻变存储器及其制造方法。阻变存储器包括三明治结构的第一电极层、第二电极层和位于第一电极层和第二电极层之间的阻变介电层。第二电极层中包括多个贯通孔并且在多个贯通孔中填充电极材料,可以形成环状电极或锯齿电极。由于在目标位置设置目标...
该专利属于华为技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华为技术有限公司授权不得商用。
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