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本发明公开了一种硅衬底上3C碳化硅二极管器件结构，包括p型轻掺杂硅衬底，其上方依次为n型高掺杂3C碳化硅外延层与n型掺杂3C碳化硅漂移层。在3C碳化硅漂移层的顶部有p型结区域。p型硅衬底的底部有沟槽结构，沟槽底部直到n型3C碳化硅外延层，使...
该专利属于深圳基本半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳基本半导体有限公司授权不得商用。

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