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本发明涉及一种引入硫氰酸亚铜界面层的Gr/Si异质结太阳能电池及制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1.制备硅基底。S2.制备CuSCN/Si薄膜层。S3.制备Gr/CuSCN/Si器件。S4.制备TFSA/Gr/CuSCN/Si器件。S...
该专利属于鄂尔多斯应用技术学院所有，仅供学习研究参考，未经过鄂尔多斯应用技术学院授权不得商用。

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