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本实用新型涉及半导体功率器件技术领域，具体公开了一种氧化镓肖特基二极管，包括衬底层、阴极金属层、导电漂移层和阳极金属层，所述阴极金属层设置于所述衬底层底面；所述导电漂移层设置于衬底层的顶面；所述阳极金属层设置于导电漂移层的顶面；其中，所述导...
该专利属于西安电子科技大学杭州研究院所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学杭州研究院授权不得商用。

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