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本发明公开了一种砷化镓／锑化镓太阳电池的制作方法，包括以下步骤：以砷化镓单晶片为衬底，利用分子束外延（ＭＢＥ）生长技术，在砷化镓衬底上生长子电池吸收层，具体过程包括：Ａ）５８０℃条件下在ＧａＡｓ衬底上生长ＧａＡｓ缓冲层；Ｂ）４５０℃条件下在...
该专利属于云南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过云南师范大学授权不得商用。

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