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本发明提供了一种TOPCon电池的制备方法，包括：在隧穿层下表面制备本征非晶硅薄膜；在所述本征非晶硅薄膜下表面制备氧化硅层作为扩散阻挡层；在扩散阻挡层表面开槽；进行POCl3扩散，在开槽处进行重掺杂，形成第一掺杂多晶硅区域；在未开槽区域进行...
该专利属于滁州捷泰新能源科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过滁州捷泰新能源科技有限公司授权不得商用。

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