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本发明涉及覆铜陶瓷基板制备技术领域，提供了一种带引线框架的覆铜陶瓷基板的制备方法，使用铜的氧化烧结来替代焊料烧结，将铜材质的引线框架进行干法热氧化处理实现单面氧化，与覆铜陶瓷基板表面铜材引脚焊接区域对位接触。在1065～1083℃下铜氧化层...
该专利属于上海富乐华半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海富乐华半导体科技有限公司授权不得商用。

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