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电子负载控制方法、系统、存储介质及电子负载技术方案
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文档序号:38545618
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本发明公开了一种电子负载控制方法、系统、存储介质及电子负载,先利用最大预设导通电压对MOSFET进行预导通,从而可以极大的缩短MOSFET的响应时间,同时,在最大预设导通电压加压完成后,停止向MOSFET加压第二预导通时长,使得MOSFET...
该专利属于湖南恩智测控技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过湖南恩智测控技术有限公司授权不得商用。
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