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本申请公开了一种沟槽型半导体功率器件及版图，包括：第一掺杂类型的衬底；第一掺杂类型的外延层，位于衬底第一表面；源沟槽结构，位于外延层内部，为圆环形；栅沟槽结构，位于外延层内部，为圆环形，源沟槽结构和栅沟槽结构相互分离且交替排列；桥沟槽结构，...
该专利属于杭州芯迈半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州芯迈半导体技术有限公司授权不得商用。

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