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本发明公开了一种有效的在碲镉汞探测器芯片表面低温生长铟柱的方法，该方法以氩气为反应气体，在磁控溅射镀膜设备中按如下步骤在碲镉汞探测器芯片表面生长铟柱：Ａ．将需要生长铟柱的碲镉汞探测器芯片表面向下固定在样品盘上，将样品盘放到真空室内；Ｂ．通过...
该专利属于中国电子科技集团公司第十一研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十一研究所授权不得商用。

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