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本实用新型提供一种VCSEL外延结构、VCSEL芯片，该VCSEL外延结构包括：层叠在衬底上的N型DBR反射层、谐振腔层和P型DBR反射层，谐振腔层包括有源区，P型DBR反射层包括第一DBR堆叠结构及第一AlGaAs过渡层，第一DBR堆叠结...
该专利属于扬州乾照光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州乾照光电有限公司授权不得商用。

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