温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请提供了一种晶体管、电子器件及终端设备，能够提升晶体管的ESD能力。该晶体管包括沟道、源极、漏极、栅极、设置于沟道两侧的隔离区、位于栅极背离沟道一侧的源场板；其中，源场板与源极电连接，源场板包括主场板和副场板；主场板与栅极部分重叠，主场...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。