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本发明涉及宽禁带半导体器件领域，具体涉及一种沟槽式MOSFET器件及其制备方法。该沟槽式MOSFET器件，至少包括衬底以及设置在衬底上的外延层、栅极沟槽、源极沟槽和漏电极，所述栅极沟槽的正下方设置有p+掩蔽层且所述p+掩蔽层位于所述外延层内...
该专利属于湖北九峰山实验室所有，仅供学习研究参考，未经过湖北九峰山实验室授权不得商用。

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