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一种Ｌａ掺杂ＣｅＯ↓［２］过渡层薄膜及其制备方法属于高温超导材料制备技术领域。本发明所提供的Ｌａ掺杂ＣｅＯ↓［２］过渡层薄膜由Ｃｅ↓［１－ｘ］Ｌａ↓［ｘ］Ｏ↓［２］复合氧化物固溶体组成，其中，０．１≤ｘ≤０．３；过渡层薄膜的厚度为３０～２５...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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