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本发明涉及三维集成电路，尤其涉及平面工艺的三维集成电路。本发明充分利用了各种不同类别器件在空间层次上可以重叠的特性。通过不同层次器件共享区域，以及特定条件下同一层次不同深度器件共享区域，该特定条件是其中一个器件Ｐ型区域或Ｐ型电阻最高电位低于...
该专利属于北京中星微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京中星微电子有限公司授权不得商用。

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