温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种制造太阳能电池的方法，该方法包括：对Ｐ型多晶硅晶片喷沙后，进行预清洗；对该晶片的衬底进行Ｎ型掺杂物的重掺杂；在该晶片的衬底表面，沉积多晶硅层；进行快速退火处理；对该晶片边缘绝缘处理后，采用氢氟酸刻蚀去磷玻璃。本发明提供的方法...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。